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PECVD系统由管式炉

PECVD系统由管式炉

时间:2020-07-20 16:39:12

所属分类:第二代节能型马弗炉

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PECVD系统由管式炉,石英真空管、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。 PECVD 系统主要应用于金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,石墨烯等生长。 洛阳ca88可生产1200度实验用小型PECVD、1200度实验用双温区管式炉小型PECVD、低真空CVD系统、等离子增强化学气相沉积系统。

PECVD系统与CVD有什么区别?
气相沉积法化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用比较广泛的用来沉积多种材料的技术, 包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。
CVD 技术常常通过反应类型或者压力来分类,包括低压 CVD(LPCVD),常压 CVD(APCVD),亚常压 CVD(SACVD),超高真空 CVD(UHCVD),等离子体增强 CVD(PECVD),高密度等离子体 CVD(HDPCVD) 以及快热 CVD(RTCVD)。
PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PVD和热锚点CVD相比,PECVD可以在相对较低的温度(小于350℃)下沉积出高均匀性薄膜。此外,对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积,等离子沉积技术提供了良好的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。
1200度实验用小型PECVD系统用途
1200度实验用小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
1200度实验用小型PECVD系统系统配置;
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、多路质量流量控制系统
4、真空系统(单独购买)
1200度实验用小型PECVD系统特性:
可实现手动滑动或自动滑动、气路数量2-5可选择;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,陶瓷薄膜,金属薄膜,复合薄膜等的不错的选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

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